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品类: 晶体管描述: 氮化镓HEMT脉冲功率晶体管2.7 - 3.1 GHz的峰值30W ， 500US脉冲，占空比为10％ GaN HEMT Pulsed Power Transistor 2.7 - 3.1 GHz, 30W Peak, 500us Pulse, 10% Duty Cycle95451-9￥2407.053010-24￥2385.170725-49￥2374.229650-99￥2363.2884100-149￥2352.3473150-249￥2341.4061250-499￥2330.4650≥500￥2319.5238
